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一种晶硅薄膜的制备方法

基本信息

申请号 CN201611249916.6 申请日 -
公开（公告）号 CN106653573B 公开（公告）日 2019-11-15
申请公布号 CN106653573B 申请公布日 2019-11-15
分类号 H01L21/02;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 张群芳 申请（专利权）人 浙江合特光电有限公司
代理机构 北京维正专利代理有限公司 代理人 戴锦跃
地址 314000浙江省嘉兴市秀洲区秀园路966号嘉兴创新园42幢2012室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种晶硅薄膜的制备方法，包括步骤1：在硅片上淀积一层晶硅薄膜；步骤2：采用光刻工艺，在硅片的晶硅薄膜上曝光出条状窗口；步骤3：采用磁控溅射法在窗口内晶硅薄膜上溅射一层金属镍；步骤4：采用激光器对着晶硅薄膜进行辐射照射制备晶硅薄膜；步骤5：将衬板装入腔室，腔室抽至真空度为10‑5托的外延生长系统，对衬板进行加热至250℃~450℃；然后将氢气和SiCl4进行高温热丝催化，SiCl4流量8ml/min，氢气流量15~25ml/min；步骤6：用氯化氢除去残留的金属镍及光刻胶，本发明具有晶硅薄膜量产量大的优点，同时生产时间短，生产制造效率高。