一种硅锗低温外延方法
基本信息
| 申请号 | CN201611249928.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106856165B | 公开（公告）日 | 2019-12-13 |
| 申请公布号 | CN106856165B | 申请公布日 | 2019-12-13 |
| 分类号 | H01L21/205（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张群芳 | 申请（专利权）人 | 浙江合特光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京维正专利代理有限公司 | 代理人 | 戴锦跃 |
| 地址 | 314000 浙江省嘉兴市秀洲区秀园路966号嘉兴创新园42幢2012室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅锗低温外延方法，步骤1：将硅片进行RCA清洗，接着进行去除氧化层处理，处理后使用去离子水清洗，并通过氮气吹干得到衬垫；步骤2：将步骤1的衬垫迅速装入室腔，室腔抽至真空度为10‑5托的外延生长系统，对衬底进行加热至250℃~450℃；步骤3：将氢气和GeH4进行高温热丝催化，然后掺加入B2H6一同通入到室腔内进行p‑Ge的外延生长，本发明掺入B2H6加工得到p‑Ge外延层，期间耗时相对较短，提高生产制造效率。 |
