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一种直拉法单晶炉用双面式导流筒支撑

基本信息

申请号 CN201720069088.1 申请日 -
公开（公告）号 CN206502890U 公开（公告）日 2017-09-19
申请公布号 CN206502890U 申请公布日 2017-09-19
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 杨鑫 申请（专利权）人 陕西西京电子科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 710065 陕西省西安市雁塔区电子城电子西街3号502厂房
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型具体公开了一种直拉法单晶炉用双面式导流筒支撑，包括导流筒支撑本体，该导流筒支撑本体包括第一面和第二面，所述第一面由外向内依次设置有上保温筒定位槽、上导流筒定位环槽，所述上导流筒定位环槽处设置有上导流筒入口，所述第二面由外向内依次设置有下保温筒定位槽、下导流筒定位环槽，所述下导流筒定位环槽处设置有下导流筒入口。该双面式导流筒支撑在使用时，先按照第一面安装使用，当导流筒支撑在使用过程中发生崩边现象时，将导流筒支撑上下颠倒安装使用，即可避免由于边缘崩边而导致的崩边物质掉入熔硅而对生产带来的影响，同时解决了发生崩边现象后导流筒支撑无法继续使用的问题。