一种利用团簇等离子体刻蚀测量聚合物亚层X光电子能谱的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210211316.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114689634A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114689634A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | G01N23/2273（2018.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 李晓伟 | 申请（专利权）人 | 内蒙古科技大学 |
| 代理机构 | 北京盛凡佳华专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 014000内蒙古自治区包头市昆都仑区阿尔丁大街7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种利用团簇等离子体刻蚀测量聚合物亚层X光电子能谱的方法，该方法主要利用氩离子团簇轰击聚合物表面，将表面几十个纳米深的原子剥离，然后采用X射线辐照聚合物剥离后的表面，产生X射线光电子能谱，准确分析剥离后新界面的元素化合态及含量。本发明将团簇等离子刻蚀技术与X射线光电子能谱相结合，检测半导体不同聚合物薄膜界面层不同深度位置处的X射线光电子能谱，并获得元素化合态和含量，有利于探索聚合物半导体薄膜性质与光电器件性能间的关系，在薄膜分析领域有广泛应用前景。 |
