单晶碳化硅制备装置专利查询专利号|摘要-满商公司网

单晶碳化硅制备装置

基本信息

申请号	CN202111447889.4	申请日	-
公开（公告）号	CN114108095A	公开（公告）日	2022-03-01
申请公布号	CN114108095A	申请公布日	2022-03-01
分类号	C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	李远田;陈俊宏	申请（专利权）人	江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	赵丽婷
地址	221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种单晶碳化硅制备装置，所述单晶碳化硅制备装置包括：第一加热炉、第一加热器、籽晶夹持器、第二加热炉和第二加热器，第一加热炉具有生长腔，第一加热器用于加热生长腔，第一加热炉的底部形成有与生长腔连通的第一气体通道；籽晶夹持器设于生长腔内，籽晶夹持器包括：安装件和设于安装件上的至少两个籽晶夹具，籽晶夹具用于安装籽晶，且籽晶夹持器构造成使籽晶在生长腔内旋转；第二加热炉设于第一加热炉的下方且具有物料腔，根据本发明的单晶碳化硅制备装置，通过设置至少具有两个籽晶夹具的籽晶夹持器，每个籽晶夹具上的籽晶均可以用于生长单晶碳化硅，即多个单晶碳化硅可以在多个籽晶上同时生长，进而提高单晶碳化硅的制备效率。