碳化硅晶体生长装置专利查询专利号|摘要-满商公司网

碳化硅晶体生长装置

基本信息

申请号	CN202111442302.0	申请日	-
公开（公告）号	CN114108093A	公开（公告）日	2022-03-01
申请公布号	CN114108093A	申请公布日	2022-03-01
分类号	C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	李远田;陈俊宏	申请（专利权）人	江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
代理机构	北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	赵丽婷
地址	221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，碳化硅生长装置包括：炉体，炉体包括有反应腔；加热装置用于对反应腔加热；夹持组件，夹持组件包括多个籽晶夹持部，籽晶夹持部设在反应腔内并用于夹持籽晶；旋转驱动组件，旋转驱动组件包括多个第一旋转驱动部，第一旋转驱动部通过第一连接件与籽晶夹持部相连，且每个第一旋转驱动部均可独立驱动籽晶夹持部绕其所夹持的籽晶的中心轴线转动，且各所述籽晶（101）的旋转方向相同以使靠近相邻的两个所述籽晶之间的气体流动方向相反。由此，可以实现生长晶体边缘温度均匀化，在碳化硅粉和籽晶的表面之间建立稳定的SixCy蒸汽物质质量扩散通量，通过调节晶体生长方式，抑制生长晶体边缘多晶的形成，提高晶体质量。