坩埚组件和具有其的单晶生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202111448447.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114134571A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114134571A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 燕靖;陈俊宏 | 申请（专利权）人 | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种坩埚组件和具有其的单晶生长装置，坩埚组件具有内外间隔且连通的第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室用于盛放原料，第一腔室内用于放置籽晶，坩埚组件具有与第一腔室连通的进气口和出气口，进气口适于通入惰性气体以带动第二腔室内的原料受热产生的气体进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口适于将过剩气体排出。根据本发明的坩埚组件，原料受热更加均匀，升华效果更好，此外，当碳化硅气体从第二腔室进入第一腔室后，可以防止部分碳化硅气体沉积在第一腔室的腔壁上，以使更多的碳化硅气体附着到籽晶上，有助于节约原料。 |
