碳化硅晶体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202111448112.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114059156A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114059156A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B23/06（2006.01）I;C30B28/12（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 燕靖;陈俊宏 | 申请（专利权）人 | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室适于盛放原料，第一腔室的底部设有籽晶，坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，进气口和出气口均与第一腔室连通，进气通道的进气端位于坩埚组件外，进气通道贯穿第二腔室，进气通道的出气端与第一腔室连通，进气通道与第二腔室连通且连通处位于进气通道的进气端和出气端之间，进气通道和进气口用于吹入惰性气体以驱动第二腔室内的原料受热产生的气体从第二腔室进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，有利于减少籽晶生长界面的应力，从而减少碳化硅晶体的缺陷。 |
