坩埚组件和具有其的单晶生长装置
基本信息
申请号 | CN202111448221.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114108078A | 公开(公告)日 | 2022-03-01 |
申请公布号 | CN114108078A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 乔帅帅;陈俊宏 | 申请(专利权)人 | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 赵丽婷 |
地址 | 221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种坩埚组件和具有其的单晶生长装置,所述坩埚组件包括:坩埚;导流装置,导流装置将坩埚的内腔分隔为位于第一腔室和第二腔室,第一腔室适于放置籽晶,第一腔室的腔壁上形成有出气口,第二腔室适于放置原料,第二腔室的腔壁形成有进气口,导流装置的内侧限定导流通道,导流通道与籽晶沿上下方向相对且同轴设置,导流通道包括从下至上依次连接的第一通道、第二通道及第三通道,第一通道远离第二通道的一侧与第二腔室连通,第三通道远离第二通道的一端与第一腔室连通,第二通道的内径不大于籽晶的直径。根据本发明的坩埚组件,有利于籽晶形成平整或微凸的生长界面,从而提高晶体品质。 |
