坩埚组件和具有其的单晶生长装置

基本信息

申请号 CN202111448221.1 申请日 -
公开(公告)号 CN114108078A 公开(公告)日 2022-03-01
申请公布号 CN114108078A 申请公布日 2022-03-01
分类号 C30B23/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 乔帅帅;陈俊宏 申请(专利权)人 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 赵丽婷
地址 221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种坩埚组件和具有其的单晶生长装置,所述坩埚组件包括:坩埚;导流装置,导流装置将坩埚的内腔分隔为位于第一腔室和第二腔室,第一腔室适于放置籽晶,第一腔室的腔壁上形成有出气口,第二腔室适于放置原料,第二腔室的腔壁形成有进气口,导流装置的内侧限定导流通道,导流通道与籽晶沿上下方向相对且同轴设置,导流通道包括从下至上依次连接的第一通道、第二通道及第三通道,第一通道远离第二通道的一侧与第二腔室连通,第三通道远离第二通道的一端与第一腔室连通,第二通道的内径不大于籽晶的直径。根据本发明的坩埚组件,有利于籽晶形成平整或微凸的生长界面,从而提高晶体品质。