碳化硅单晶及其生长装置和制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111444945.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114086247A | 公开（公告）日 | 2022-02-25 |
| 申请公布号 | CN114086247A | 申请公布日 | 2022-02-25 |
| 分类号 | C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 燕靖;陈俊宏;吴亚娟 | 申请（专利权）人 | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了碳化硅单晶及其生长装置和制备方法，其中，碳化硅单晶的生长装置包括：生长坩埚、内坩埚和导流筒，所述生长坩埚的顶部设有籽晶；所述内坩埚位于所述生长坩埚内的底部，并且所述内坩埚的横截面积自上而下减小；所述导流筒设在所述生长坩埚内且位于所述内坩埚和所述籽晶之间，所述导流筒环绕所述生长坩埚的内壁布置，所述导流筒的内壁呈圆弧状，并且所述内坩埚与所述导流筒配合构成气体传输引流通道。由此，采用该生长装置可以有效改善碳化硅单晶边缘缺陷，从而得到高品质的碳化硅单晶。 |
