碳化硅晶体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202111446990.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114108094A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114108094A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 燕靖;陈俊宏 | 申请（专利权）人 | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室适于盛放原料，第一腔室适于放置籽晶，坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，进气口和出气口均与第一腔室连通，进气通道的进气端位于第一腔室外，进气通道的出气端与第二腔室连通，进气通道适于通入含有气态钒化合物的混合气，进气口适于通入含有还原性气体的吹扫气，原料升华产生的碳化硅气体适于在混合气和吹扫气的驱动下从第二腔室进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，在实现利用钒补偿氮、硼制备碳化硅晶体的同时避免晶体中出现硅掺杂物，节约原料。 |
