碳化硅晶体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202111448965.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114108096A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114108096A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B23/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 燕靖;陈俊宏 | 申请（专利权）人 | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵丽婷 |
| 地址 | 221004江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，所述坩埚组件具有容纳腔，所述容纳腔适于放置原料和籽晶，所述坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，所述进气口和所述出气口均与所述容纳腔连通，所述进气通道的进气端位于所述容纳腔外，所述进气通道的出气端埋入所述原料内，所述进气通道适于通入含有气态钒化合物的混合气，所述进气口适于通入含有还原性气体的吹扫气，所述原料受热升华产生的碳化硅气体适于在所述混合气和所述吹扫气的驱动下传输至所述籽晶表面沉积，所述出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，可以避免碳化硅晶体纯度下降，并且在长晶过程中，易于控制晶体品质。 |
