氮化镓肖特基二极管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010960821.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112038396A | 公开（公告）日 | 2020-12-04 |
| 申请公布号 | CN112038396A | 申请公布日 | 2020-12-04 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/872 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郝茂盛;袁根如;张楠 | 申请（专利权）人 | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种氮化镓肖特基二极管及其制备方法，通过MOCVD法形成锥形氮化镓层凸起及氮化镓层，锥形氮化镓层凸起的掺杂浓度大于氮化镓层，且锥形氮化镓层凸起与氮化镓层形成缺陷合拢区，使得缺陷集中化；在采用腐蚀液剥离生长衬底的过程中可在缺陷合拢区形成凹槽，通过绝缘层的填充形成缺陷隔离结构，使得缺陷钝化，且缺陷合拢区在垂向上的投影完全位于缺陷隔离结构内，从而在垂向上通过缺陷隔离结构切断载流子的传输路径；进一步的，锥形氮化镓层凸起可将载流子聚集到锥顶进行传输，使得电流导流，且可避开载流子从边缘缺陷合拢区通过；本发明可获得高耐压及具有良好防漏电特性的氮化镓肖特基二极管，从而可提高器件性能。 |
