含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011405574.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112490116A | 公开（公告）日 | 2021-03-12 |
| 申请公布号 | CN112490116A | 申请公布日 | 2021-03-12 |
| 分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郝茂盛;袁根如;马艳红;张楠;陈朋 | 申请（专利权）人 | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种含Al氮化物半导体结构、器件及制备方法，包括在衬底中心区域上形成缓冲层，在衬底边缘区域留有空白区域，基于含Al氮化物层和衬底之间的较大的晶格失配，易形成多晶材料，可充分释放生长含Al氮化物层的应力，降低裂纹向中心区域的含Al氮化物层延伸的概率；缓冲层表面的缓冲层岛状结构，可进一步的释放缓冲层上生长含Al氮化物层的应力，以及有利于含Al氮化物层外延并生长出高质量的含Al氮化物层；在将缓冲层进行图形化后，外延生长含Al氮化物层时可进行侧向生长，从而可进一步提高含Al氮化物层的晶体质量。本发明可解决含Al氮化物层的裂纹问题，且可提高晶体质量，提高产品性能和良率。 |
