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一种MICROLED结构及其制作方法

基本信息

申请号	CN201910141838.5	申请日	-
公开（公告）号	CN111613696A	公开（公告）日	2020-09-01
申请公布号	CN111613696A	申请公布日	2020-09-01
分类号	H01L33/00(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	郝茂盛;张楠;袁根如	申请（专利权）人	上海芯元基半导体科技有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	上海芯元基半导体科技有限公司
地址	201209上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种MICRO LED结构及其制作方法，包括如下步骤：1)提供生长基板；于生长基板表面形成半导体发光材料层；2)于芯片区域内的半导体发光材料层内形成环形沟槽；3)于环形沟槽的底部及侧壁形成电隔离层；4)于发光区域内的半导体发光材料层的表面形成欧姆接触层；5)于芯片区域内的欧姆接触层的表面及电隔离层的表面形成反射镜层；6)于半导体发光材料层的表面形成金属键合层；7)提供键合基板，将步骤6)所得结构键合于键合基板的表面，并去除生长基板；8)去除部分半导体发光材料层；9)于半导体发光材料层的表面形成电极10)于半导体发光材料层的表面形成量电子点。本发明可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。