垂直LED芯片结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110691417.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113284990A | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN113284990A | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郝茂盛;张楠;陈朋;袁根如;马艳红 | 申请（专利权）人 | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 201210上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祥科路111号3号楼507-2室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法。制备方法包括步骤：提供生长衬底，形成外延层；于外延层中形成多个间隔分布的第一凹槽；于第一凹槽中形成第一N电极金属层；形成N电极绝缘层；形成P电极金属层以覆盖P型GaN层及N电极绝缘层；将P电极金属层与支撑衬底键合；去除生长衬底；于N型GaN层的表面形成表面绝缘层；于表面绝缘层中形成多个间隔分布的第二凹槽，第二凹槽显露出N型GaN层，第一凹槽和第二凹槽上下对应；形成第二N电极金属层，第二N电极金属层填充第二凹槽，且各第二凹槽内的第二N电极金属层相互电连接。本发明可以有效减少芯片击穿现象，减少绝缘层产生裂纹的现象，能显著减少芯片漏电现象，提高芯片的稳定性和可靠性。 |
