薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910142308.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111613703A | 公开（公告）日 | 2020-09-01 |
| 申请公布号 | CN111613703A | 申请公布日 | 2020-09-01 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郝茂盛;张楠;袁根如 | 申请（专利权）人 | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 地址 | 201209上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜结构半导体器件光电隔离结构及其制造方法，包括如下步骤：1)提供生长基板；于生长基板表面形成半导体发光材料层；2)于半导体发光材料层的表面形成环形沟槽；3)于环形沟槽的底部及侧壁形成光电隔离层；4)于半导体发光材料层的表面形成欧姆接触层；5)于欧姆接触层的表面及光电隔离层的表面形成反射镜层；6)于半导体发光材料层的表面形成金属键合层；7)提供键合基板，将步骤6)所得结构键合于键合基板的表面，并去除生长基板；8)去除部分半导体发光材料层；9)于半导体发光材料层的表面形成电极。本发明可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。 |
