用于气态氟化氢刻蚀二氧化硅的刻蚀腔体及其刻蚀系统
基本信息
| 申请号 | CN201410354793.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104103561B | 公开（公告）日 | 2016-08-24 |
| 申请公布号 | CN104103561B | 申请公布日 | 2016-08-24 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 庞克俭;江西元;邵苏予;刘胜伟 | 申请（专利权）人 | 河北省再担保有限责任公司 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 河北神通光电科技有限公司 |
| 地址 | 050227 河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于气态氟化氢刻蚀二氧化硅的刻蚀腔体及其系统，所述系统包括：刻蚀腔体、气体产生装置和控制系统，气体产生装置用于将产生的刻蚀气体、氮气和乙醇气体进行混合输入到刻蚀腔体内，所述刻蚀腔体上设有进气口和出气口，刻蚀腔体内设有旋转平台、加热器和气体匀流装置，进入刻蚀腔体的混合气体通过气体匀流装置进行充分混合，旋转平台上放置有待刻蚀的半导体器件，控制系统控制气体产生装置产生混合气体，混合气体在刻蚀腔体内充分混合，控制系统控制旋转平台转动并控制加热器进行加热。 |
