一种大尺寸晶体生长装置
基本信息
| 申请号 | CN201921714149.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211227433U | 公开（公告）日 | 2020-08-11 |
| 申请公布号 | CN211227433U | 申请公布日 | 2020-08-11 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 方帅;高超;刘圆圆;周敏;张虎;姜岩鹏;黄治成 | 申请（专利权）人 | 济宁天岳新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王宽 |
| 地址 | 272073山东省济宁市高新区崇文大道6699号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种大尺寸晶体生长装置，其由内向外依次包括：晶体生长室、第一石英管、感应线圈、第二石英管，晶体生长室用于生长大尺寸晶体，感应线圈呈螺旋状缠绕设置于第一石英管外侧，感应线圈的匝间距为0‑6mm，感应线圈设置在旋转机构上，旋转机构控制感应线圈转动。本实用新型通过优化感应线圈的设置，来提高感应线圈产生磁场的均匀性，可以使晶体生长室四周的温度尽可能均匀，有效地减少晶体四周厚度不均匀的现象，有效地减少料面出现的某一方向上的塌陷，使晶体生长室沿各个方向上被侵蚀的速率一样，增加了这些耗材的使用次数和长晶的稳定性。 |
