一种精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的半导体装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110675335.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113436995A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113436995A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L21/67（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L21/687（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姚大平 | 申请（专利权）人 | 江苏中科智芯集成科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 张东梅 |
| 地址 | 221000江苏省徐州市经济技术开发区凤凰湾电子产业园创业路26号101厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及集成电路制造与封装技术领域，提出一种精准湿法刻蚀、清洗晶圆边缘的半导体装置及工艺方法，所述半导体装置包括晶圆旋转装置；通气管道；通液管道；以及双相喷嘴。本发明通过控制双相喷嘴中通气道喷射出保护气体的喷速与流量，可精准控制从通液道喷射出来的刻蚀、清洗液的雾化液滴喷涂到晶圆边缘的距离，同时不会影响晶圆其它部分。可以保证仅对晶圆边缘做刻蚀、清洗工艺，保障了晶圆边缘区域的洁净，能够提高设置在晶圆边缘区域的芯片良率，并且避免边缘残留、颗粒等缺陷污染晶圆中心区域的芯片。 |
