一种高性能存储设备和方法
基本信息
| 申请号 | CN202011434779.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112527198A | 公开（公告）日 | 2021-03-19 |
| 申请公布号 | CN112527198A | 申请公布日 | 2021-03-19 |
| 分类号 | G06F3/06(2006.01)I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 周洁 | 申请（专利权）人 | 南京富士通南大软件技术有限公司 |
| 代理机构 | 南京钟山专利代理有限公司 | 代理人 | 徐燕 |
| 地址 | 210012江苏省南京市雨花台区文竹路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能存储设备和方法，所述Flash存储模块分设于不同的通道，用于实现数据的分散存储，并通过其对应的读写接口实现数据读写的并发性。本发明存储设备采用容量大价格不高的Nand Flash作为存储，采用最高速率可达10GB/s的PCI‑E接口。本发明采用多通道传输技术，多个通道可以同时传输，且参考Raid0的数据存储方式，把数据分散存储到不同通道上的Nand Flash，提高了数据读写的并发性。 |
