一种用于化学气相沉积的微波等离子体反应腔及设备
基本信息
| 申请号 | CN202111429766.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114164418A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114164418A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | C23C16/511（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 顾亚骏;全峰;蒋礼 | 申请（专利权）人 | 深圳优普莱等离子体技术有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市光明区光明街道东周社区双明大道315号易方大厦1308 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于化学气相沉积的微波等离子体反应腔及设备，包括腔体、石英窗、固定环、基片台组件、固定盘和至少一个变径环组件。变径环组件包括设于基片台组件和腔体之间的变径环，设于腔体底部外表面上长度可变化的波纹管模块，穿设固定在波纹管模块内的传动杆，设于腔体和固定盘之间与传动杆固定连接活动盘，穿设于活动盘的丝杆。传动杆与变径环固定连接，丝杆与活动盘螺纹配合，丝杆两端分别与腔体底部和固定盘活动连接。本发明通过变径环组件来调整腔体轴向和径向的边界，实现在不拆卸反应腔的情况下，实时增加基片台上方等离子体的功率密度，防止次生等离子体的产生及提高基片台上温度均匀性的目的，提高了金刚石生长的速度和质量。 |
