扩展波长的InGaAs红外探测器
基本信息
| 申请号 | CN202023288750.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214336725U | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN214336725U | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/101（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙炳蔚;顾溢;刘大福 | 申请（专利权）人 | 无锡中科德芯感知科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 杨东明;张冉 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种扩展波长的InGaAs红外探测器，包括依次生长在InP衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、吸收层和盖层；所述第一缓冲层为InAsyP（1‑y），其中0 |
