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像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片

基本信息

申请号 CN202121444931.2 申请日 -
公开（公告）号 CN215869403U 公开（公告）日 2022-02-18
申请公布号 CN215869403U 申请公布日 2022-02-18
分类号 H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/09（2006.01）I;H01L27/144（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 孙夺;顾溢;刘大福;李雪 申请（专利权）人 无锡中科德芯感知科技有限公司
代理机构 上海弼兴律师事务所 代理人 杨东明;林嵩
地址 214028江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种像元偏压可控的铟镓砷光敏芯片，所述铟镓砷光敏芯片包括依次设置于衬底的缓冲层、吸收层、帽层、钝化层、电极层以及像元阵列，所述像元阵列包含多个像元，每个像元之间电极独立；所述每个像元内的电极独立。本实用新型的像元偏压可控的铟镓砷阵列光敏芯片及其制备方法通过合理地设置阵列中各像元间的隔离结构，可对像元形成独立可控的偏压用于读取相应的电信号，从而获取感光探测数据。同时，外接电路也可根据实际应用场景自定义对接电极层中的若干电极，以获取需要的像元参数。本实施例通过像元的偏压独立控制以及像元信号片上均匀性校正，显著地提高了红外探测的准确性及模块化工作的可操作性。