长波III-V族红外探测器
基本信息
| 申请号 | CN202121450983.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215869410U | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN215869410U | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾溢;孙夺 | 申请（专利权）人 | 无锡中科德芯感知科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海弼兴律师事务所 | 代理人 | 杨东明;林嵩 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种长波III‑V族红外探测器，所述红外探测器结构包括衬底、缓冲层、吸收层和帽层；其中，所述吸收层的材料为非故意掺杂的BInAsSbBi，所述非故意掺杂的BInAsSbBi的组分结构满足：BxIn1‑xAs1‑y‑zSbyBiz，其中，x≥0.1，0.4≤y≤0.7，0.01≤z≤0.06。本实用新型通过满足适当组分要求的BInAsSbBi材料作为吸收层来制备长波III‑V族红外探测器，获得了较好的化学稳定性，在保证耐热性的同时具有较高的吸收系数，能够保持与衬底较小的晶格失配，从而提升了探测器性能。 |
