薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路
基本信息
| 申请号 | CN201711190146.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108231904B | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN108231904B | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L29/786（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;G09G3/20（2006.01）I;G09G3/3233（2016.01）I;G09G3/36（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 竹知和重 | 申请（专利权）人 | 天马微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 广东省深圳市龙华区民治街道北站社区留仙大道天马大厦1918 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路。一种氧化物半导体薄膜晶体管包括：源极电极及漏极电极；沟道层，其由氧化物半导体形成；第一绝缘膜；第一栅极电极，其形成在与形成于沟道层和第一绝缘膜之间的界面上的第一沟道区域相对的面侧；第二绝缘膜；以及第二栅极电极，其形成在与形成于沟道层和第二绝缘膜之间的界面上的第二沟道区域相对的面侧，在将第一沟道区域的在源极电极和漏极电极的并排设置方向上的长度设为第一沟道长度，第二沟道区域的在并排设置方向上的长度设为第二沟道长度的情况下，第二沟道长度比第一沟道长度短，且施加于第二栅极电极的电位大于或等于源极电极和漏极电极的电位中的较低的电位。 |
