高边NMOS驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN201611212608.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106849925B | 公开（公告）日 | 2020-04-28 |
| 申请公布号 | CN106849925B | 申请公布日 | 2020-04-28 |
| 分类号 | H03K17/687 | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 刘飞;文锋;余祖俊;黄孟 | 申请（专利权）人 | 惠州市亿能电子有限公司 |
| 代理机构 | 惠州创联专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 惠州市亿能电子有限公司 |
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术产业开发区惠风东二路40号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种适用于驱动需要长期导通（或作为开关使用）的NMOS管的高边NMOS驱动电路，其包括由至少两个并联连接的电容组成的升压电路和主要由五个晶体三极管构成的、以NMOS的供电电压为基准的电荷泵电路。本发明的高边NMOS驱动电路采用一个方波发生电路再配合一个以NMOS的供电电压为基准的电荷泵电路即可实现灵活的防反接NMOS驱动或开关作用的高边背靠背NMOS驱动，很好地实现低成本的、应用于需要长期导通的高边NMOS的驱动电路。 |
