一种气相沉积石墨烯层生长制备装置及工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110193070.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112813408A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112813408A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | C23C16/26;C23C16/455;C23C16/44;C30B25/14;C30B25/08;C30B25/10;C30B29/02 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 赵兵;付善任;张红 | 申请（专利权）人 | 上海岚玥新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京挺立专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 王莉 |
| 地址 | 201400 上海市奉贤区奉浦大道1599号M幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种气相沉积石墨烯层生长制备装置及工艺，气相沉积石墨烯层生长制备装置包括密封腔体、高真空密封插板阀、热场底座、石墨硬毡保温层、第一石墨发热体、第二石墨发热体、第一感应线圈和第二感应线圈，气相沉积石墨烯层生长制备工艺包括封闭密封腔体，抽真空；启动第一感应线圈和第二感应线圈；升温达到目标温度；充入高纯工艺气体；温度降至摄氏度和取出镀有涂层的衬底片，每个气路只对应一个衬底片，避免由单气路对应多衬底片导致的充气压力不均，碳原子沉积不均匀的问题，共八组制备装置同时制备生产，其中每个气路独立控温，控制流量，保证工艺的标准化和可控可复制性。 |
