倒装发光二极管结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201510625578.0 申请日 -
公开(公告)号 CN105336829A 公开(公告)日 2016-02-17
申请公布号 CN105336829A 申请公布日 2016-02-17
分类号 H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;徐宸科 申请(专利权)人 湖北三安光电有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法,包括:基板;外延层,位于所述基板之上,外延层包括:第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层;第一电极结构,位于所述第一半导体层上;第二电极结构,位于所述第二半导体层上;第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环,第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环;第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度,且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构,用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路,提高可靠性。