一种氮化物半导体发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN201711207110.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108039397A | 公开（公告）日 | 2018-05-15 |
| 申请公布号 | CN108039397A | 申请公布日 | 2018-05-15 |
| 分类号 | H01L33/32;H01L33/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑锦坚;李水清;钟志白;周启伦;林峰;吴雅萍;李志明;杜伟华;邓和清;伍明跃;陈松岩;康俊勇 | 申请（专利权）人 | 湖北三安光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，V‑pits，多量子阱，至少具有一V‑pits开启层和/或至少具有一V‑pits调制层，以及P型氮化物半导体，其特征在于：所述V‑pits开启层和V‑pits调制层具有不同的C碳含量，调节（10‑11）面和（0001）面的速率匹配，通过控制C含量控制位错线开出V‑pits并调控V‑pits尺寸和密度；并控制InkGa1‑kN/GaN的厚度比例和InzGa1‑zN/GaN的厚度比例，调控V‑pits的尺寸和密度。 |
