一种氮化物半导体发光二极管
基本信息
| 申请号 | CN201810982499.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109192834B | 公开（公告）日 | 2020-04-21 |
| 申请公布号 | CN109192834B | 申请公布日 | 2020-04-21 |
| 分类号 | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/10 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑锦坚;周启伦;钟志白;李水清;徐宸科;康俊勇 | 申请（专利权）人 | 湖北三安光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱和P型氮化物半导体，所述多量子阱具有V型坑，所述多量子阱与P型氮化物半导体之间至少具有一分布式布拉格反射层，或多量子阱的V型坑上方至少具有一分布式布拉格反射层。 |
