III族氮化物外延结构及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201310339115.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103388178B | 公开（公告）日 | 2016-12-28 |
| 申请公布号 | CN103388178B | 申请公布日 | 2016-12-28 |
| 分类号 | C30B25/20(2006.01)I;C30B25/22(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杜彦浩;叶孟欣;徐宸科;赵志伟;林文禹;叶义信;杨仁君;刘建明 | 申请（专利权）人 | 湖北三安光电有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721－1725号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种III族氮化物外延结构及其生长方法，其III族氮化物的外延结构，至少包括：Si衬底，和位于Si衬底之上的III族氮化物层，其特征在于：在所述Si衬底和III族氮化物的界面处并列存在Al原子和原位生成的SixNy，其中Al原子起到浸润Si衬底和衔接III族氮化物层的作用，SixNy用于释放异质外延产生的失配应力。 |
