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改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置、反应腔室及蚀刻机

基本信息

申请号 CN202122086729.3 申请日 -
公开（公告）号 CN216413002U 公开（公告）日 2022-04-29
申请公布号 CN216413002U 申请公布日 2022-04-29
分类号 H01J37/32（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李瑞评;乔新宇;李彬彬;霍曜 申请（专利权）人 福建晶安光电有限公司
代理机构 北京金咨知识产权代理有限公司 代理人 岳燕敏
地址 362411福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置、反应腔室及蚀刻机，所述气体分散装置包括：分散板本体，所述分散板本体上具有多个气孔；多个盖板，所述多个盖板分别盖封在所述多个气孔的进气口或出气口位置处；旋转驱动部件，其固定在所述分散板本体上，且所述旋转驱动部件的输出轴与所述盖板固定连接，所述旋转驱动部件用于驱动所述盖板旋转运动以开启或关闭所述气孔。该气体分散装置可在不开启反应腔室的前提下保证腔室内的蚀刻气体的均匀性，从而确保晶片的加工质量以及提高了加工效率。