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一种蓝宝石晶体生长工艺

基本信息

申请号 CN202111030051.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113699585B 公开（公告）日 2022-04-29
申请公布号 CN113699585B 申请公布日 2022-04-29
分类号 C30B17/00（2006.01）I;C30B29/20（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 余剑云;吴锋波;郑家金;王进学 申请（专利权）人 福建晶安光电有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 362411福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种蓝宝石晶体生长工艺，通过在加热阶段功率约20~30kw时进行恒温，排除晶体生长炉内的水汽，减少炉内氧气含量，减少炉内热场氧化，降低杂质的生成，降低浮岛形成概率；通过在加热阶段恒温后通入惰性气体至1.0个大气压以上，更能将通过恒温后未能排除干净的水汽及氧气排除干净；通过在原料融化后降温处理使原料表面重新凝结产生结晶后，再通过升温处理重新融化原料，使浮岛沉入晶体生长炉的底部，提高引晶及晶体质量。本发明所提供的蓝宝石晶体生长工艺适用范围较广，适用于任何尺寸任何方法的蓝宝石晶体的生长，特别是大尺寸的蓝宝石晶体生长。