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一种湿法蚀刻装置

基本信息

申请号	CN202220484817.0	申请日	-
公开（公告）号	CN216413009U	公开（公告）日	2022-04-29
申请公布号	CN216413009U	申请公布日	2022-04-29
分类号	H01L21/306（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I;C30B33/10（2006.01）I;B01F31/441（2022.01）I;B01F35/90（2022.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李瑞评;郑贤良;曾柏翔;张佳浩;林明顺	申请（专利权）人	福建晶安光电有限公司
代理机构	北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	高园园
地址	362411福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，提供了一种湿法蚀刻装置，湿法蚀刻装置的刻槽包括外槽及内槽，内槽设置在外槽中，内槽设置为上方开口的结构，用于容纳待蚀刻的衬底，并且内槽的上表面低于外槽的上表面，蚀刻过程中，外槽中的蚀刻溶液的液面低于内槽的上表面，内槽中充满蚀刻液，内槽内的蚀刻液自上方开口溢出至外槽，循环泵将外槽中的蚀刻溶液抽回至内槽，实现蚀刻液的循环流动，提升蚀刻液的均匀性，同时蚀刻溶液与衬底表面形成相对运动，降低纵向蚀刻与横向蚀刻的蚀刻速率差异。支撑结构设置为沿内槽的高度方向可上下移动，并且可以带动衬底360°旋转，使蚀刻溶液浓度分布均匀化及温场的均匀性，提升不同位置蚀刻的速率及性能均性化。