首页/ 季优科技（珠海横琴）有限公司/ 专利详情

一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件

基本信息

申请号 CN201921835897.4 申请日 -
公开（公告）号 CN210325809U 公开（公告）日 2020-04-14
申请公布号 CN210325809U 申请公布日 2020-04-14
分类号 H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 申请（专利权）人 季优科技（珠海横琴）有限公司
代理机构 上海宏京知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 季优科技（上海）有限公司
地址 201899上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J246室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及宽禁带功率电子器件技术领域，具体为一种具有浮岛结构的沟槽型垂直氮化镓功率器件，包括Body电极和外壳体，所述外壳体的顶端设置有沟槽，所述沟槽的内侧壁固定连接栅金属，所述栅金属的内侧设置有栅介质，所述外壳体的内腔自下而上晶片结构依次设置N+衬底、N型漂移区、P型层和N+掺杂层，所述P型层与N+掺杂层对称设置有两组，所述N型漂移区的内侧对称设置P型浮岛，所述外壳体的顶侧两端对称固定连接源漏电极，本实用新型实现在N型漂移区引入两个对称P型浮岛，有利于避免沟槽底部拐角处栅介质处的电场聚集效应，电场强度因P型浮岛的存在而减小，达到了抑制栅介质击穿引起的器件击穿现象，有利于提高击穿电压。