一种多芯片模块的封装工艺
基本信息
| 申请号 | CN201910692565.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112309872A | 公开（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申请公布号 | CN112309872A | 申请公布日 | 2021-02-02 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马强;王燕洲 | 申请（专利权）人 | 苏州远创达科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 范晴;丁浩秋 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市工业园区华云路1号桑田岛科创园7号楼2楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多芯片模块的封装工艺，包括：将晶片附着在引线框架上；将设有空腔的保护盖设置贯穿的通孔，将设置有贯穿的通孔的保护盖经在引线框架的周边的胶加温密封在引线框架上；在加温的流程中通过通孔降低腔内的压力，使其不变形，并在降温后填塞通孔。可以使得保护盖的密闭保护效果更佳，由于除去了保护盖密封腔内的大量介质，可以大大增加射频功放产品的功率和效率，此外还可以增加射频功放产品的散热效果，同时产品的一致性更好。 |
