一种聚合物包覆硅/硫掺杂石墨烯负极材料及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种聚合物包覆硅/硫掺杂石墨烯负极材料及制备方法

基本信息

申请号	CN201910118008.0	申请日	-
公开（公告）号	CN111584831A	公开（公告）日	2020-08-25
申请公布号	CN111584831A	申请公布日	2020-08-25
分类号	H01M4/36(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	田军;李国敏	申请（专利权）人	江西格林德能源有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	518000广东省深圳市上高县工业园五里岭功能区
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种聚合物包覆硅/硫掺杂石墨烯负极材料及制备方法，所述负极材料由硅材料、硫掺杂石墨烯以及包覆在硅材料外的聚合物包覆层组成，其制备方法包括S1：硅纳米颗粒和硫掺杂石墨烯球磨得到硅/硫掺杂石墨烯复合材料；S2：将此复合材料分散至去离子水中，加入吡咯单体和多巴胺单体，冷却，加入六水氯化铁反应；S3：沉淀、清洗、干燥，研磨即可。该材料内核硅纳米颗粒具有储锂活性，硅纳米颗粒吸附在硫掺杂石墨烯硫（‑S）及缺陷位置，可提高循环稳定性，形成Si‑S具有协调效应，加速电子转移，提高倍率性能；聚合物包覆层提高硅基材料的导电性并缓冲其体积膨胀；同时，该制备方法操作简单，工艺简便环保，具有广阔的应用前景。