引入PMMA插层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

基本信息

申请号 CN202210292495.4 申请日 -
公开(公告)号 CN114695669A 公开(公告)日 2022-07-01
申请公布号 CN114695669A 申请公布日 2022-07-01
分类号 H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 戴俊;冯艳琴 申请(专利权)人 江苏科技大学
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 代理人 -
地址 212008江苏省镇江市京口区梦溪路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种引入PMMA插层的钙钛矿太阳能电池,依次由导电基底层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、聚甲基丙烯酸甲酯钝化层、电子传输层、缓冲层和银电极组成,形成倒置结构;其中聚甲基丙烯酸甲酯钝化层由旋涂浓度为2~8mg/mL的聚甲基丙烯酸甲酯氯苯溶液,然后退火处理形成;制备方法为:选取ITO作为导电基底,分别旋涂PEDOT:PSS溶液、钙钛矿溶液、聚甲基丙烯酸甲酯的氯苯溶液、6,6‑苯基‑C61‑丁酸甲酯、Bphen溶液并进行退火处理,最后蒸镀金属银电极,得到倒置结构的钙钛矿太阳能电池;该电池为倒置结构,并在钙钛矿/电子传输层界面引入PMMA钝化层,改善了钙钛矿薄膜质量和电子提取效率,有利于增加电池效率、抑制迟滞效应和提高电池的稳定。