封装结构、制作方法及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202111338328.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121858A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114121858A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L23/49（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H9/10（2006.01）I;H03H9/54（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王矿伟;杨清华 | 申请（专利权）人 | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人 | 方世栋 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区NE-39幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种封装结构、制作方法及半导体器件，所述封装结构包括硅芯片组件和基板，所述硅芯片组件至少包括功能器件以及容纳所述功能器件的保护壳体，所述保护壳体具有第一表面，所述第一表面上设置有至少一个凸起的第一金属部件，每个所述第一金属部件的全部或一部分的外部包覆有第二金属部件；所述基板具有与所述第一表面相对的第二表面，所述基板在所述第二表面的一侧上设置有与所述至少一个凸起的第一金属部件一一对应的凹槽。本发明可避免封装结构因受表面氧化、杂质、颗粒、异物的影响而容易出现产品不良的问题。 |
