器件芯片及其制造方法、封装结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111396304.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121828A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114121828A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L23/13（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I;H01L21/52（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏涛;赖志国;杨清华;钱盈;王友良;于保宁 | 申请（专利权）人 | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京元合联合知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李非非 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区39幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种器件芯片，该器件芯片包括：衬底结构，该衬底结构的底部形成有至少一个导热孔结构，每一所述导热孔结构均包括形成在所述衬底结构底部的第一盲孔以及填充在该第一盲孔内的第一导热材料；至少一个器件单元，该至少一个器件单元形成在所述衬底结构上。相应地，本发明还提供了一种器件芯片的制造方法、以及基于该器件芯片所形成的封装结构及其制造方法。本发明有利于提高封装结构的散热性能。 |
