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NMOS管高电压高速驱动电路

基本信息

申请号 CN201610512303.0 申请日 -
公开（公告）号 CN106067800A 公开（公告）日 2016-11-02
申请公布号 CN106067800A 申请公布日 2016-11-02
分类号 H03K17/687(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 姜文耀;陶勇 申请（专利权）人 浙江桃园科技有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 浙江桃园科技有限公司
地址 310013 浙江省杭州市西湖区天目山路217号18层1801-1室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种NMOS管高电压高速驱动电路。包括输入保护整流电路、驱动主电路和主回路电路。输入保护整流电路由TVS管或者双向稳压二极管，四个整流二极管组成；驱动主电路由PNP转换三极管Q1，PNP释放三极管Q2、NPN放大三极管Q3?(可去除)，限流电阻R1、释放电阻R2、分压电阻R3、分压电阻R4、限流电阻R5、释放电阻R6?(可去除)、快速关断电容C1、分流二极管D6、稳压二极管D8?(可去除)；主回路电路由NMOS管M1、续流二极管D7和负载L1组成。本发明是一种功耗小、成本低，可承受输入电压范围大，开关速度快的驱动电路。