一种抗静电聚酰亚胺薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110023775.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102120826B | 公开（公告）日 | 2012-09-19 |
| 申请公布号 | CN102120826B | 申请公布日 | 2012-09-19 |
| 分类号 | C08J5/18(2006.01)I;C08G73/10(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K3/04(2006.01)I;C08L79/08(2006.01)I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 黄培;吴海红 | 申请（专利权）人 | 连云港达昇新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 徐冬涛;袁正英 |
| 地址 | 210009 江苏省南京市鼓楼区新模范马路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种抗静电聚酰亚胺(PI)薄膜的制备方法。原料采用二胺，二酐和导电填料及添加偶联剂，利用原位聚合法制备了相分散性均匀的聚酰胺酸(PAA)导电填料复合溶液，热亚胺化处理，得到抗静电的聚酰亚胺薄膜。该方法制备的抗静电聚酰亚胺薄膜，操作简单，工艺优良，产品两面的电阻率基本一致，制成的产品成品率高、耐高温并且机械性能优异。可应用于化工产品、微电子器件等对包装材料有特殊要求的领域。 |
