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具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法

基本信息

申请号	CN201110233851.7	申请日	-
公开（公告）号	CN102280550B	公开（公告）日	2015-05-20
申请公布号	CN102280550B	申请公布日	2015-05-20
分类号	H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B23K26/36(2014.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	梁秉文	申请（专利权）人	苏州纳方科技发展有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法。该LED芯片包括正面生长有外延层的透明衬底，该衬底具有台阶形结构，且至少衬底侧边上部为与竖直方向成10-45°夹角的倾斜边。该方法为：首先以彼此之间成20-90°夹角的两束激光自衬底背面倾斜切入衬底至第一设定深度，且形成的两条倾斜切痕彼此无交叉；其后以平行排布在两条倾斜切痕之间的多束激光垂直切入衬底至第二设定深度，从而在衬底上形成Y型切槽，该第二设定深度大于第一设定深度；最后以一束激光自切槽槽底垂直切穿衬底和生长于衬底正面的外延层，将相邻LED芯片自预定分割位置分离。本发明LED芯片结构简单，发光效率高，且其制备工艺简便高效，无需裂片操作，成本低廉，良品率高。