GaN基发光二极管、其制备方法及应用
基本信息
| 申请号 | CN201210305178.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103633206B | 公开（公告）日 | 2016-08-17 |
| 申请公布号 | CN103633206B | 申请公布日 | 2016-08-17 |
| 分类号 | H01L33/04(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁秉文 | 申请（专利权）人 | 苏州纳方科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京华夏博通专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 苏州纳方科技发展有限公司 |
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基发光二极管、其制备方法及应用。该发光二极管包括顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层，其中，第一N型GaN层生长在第一衬底上或第二N型GaN层连接在第二衬底上，以及第一或第二N型GaN层上还连接有透明导电层；其制备方法为：在第一衬底上生长设定缓冲层，再依次生长形成前述结构层；其后在第二N型GaN层上连接透明导电层，或者在第二N型GaN层上连接第二衬底，而将第一衬底剥离，并在第一N型GaN层上连接透明导电层。本发明半导体材料层的厚度小，生长时间短，生产效率高，且与透明导电电极接触的N型GaN层无需重掺杂，降低因为前述结构层重掺杂而对光的吸收，产品良率和发光效率高。 |
