MOS触发SCR器件
基本信息
| 申请号 | CN202110722637.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437063A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437063A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L27/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 易永财;朱小安;邵宇;叶平平 | 申请（专利权）人 | 吉安砺芯半导体有限责任公司 |
| 代理机构 | 深圳市恒程创新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张小容 |
| 地址 | 343000 江西省吉安市井冈山经济技术开发区深圳大道北侧238号物联网创客园3号楼2-208室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种MOS触发SCR器件。MOS触发SCR器件包括P型衬底、位于P型衬底上端沿衬底的长度方向依次排列的低压N阱和低压P阱，位于低压N阱和所述低压P阱上端沿衬底的长度方向依次排列的第一SN区、第一SP区、第二SN区以及第二SP区、位于低压N阱和低压P阱交界处的第三区、位于第二SN区和第三区之间或位于第一SP区和第三区之间的可调部件。通过设置可调部件于第二SN区和第三区之间或第一SP区和第三区之间，并且通过调整可调部件，能够控制SCR器件中的寄生MOS管的阈值电压，当阈值电压改变时，SCR器件的触发电压也会改变，从而通过调整寄生MOS管的阈值电压实现对SCR器件的触发电压进行无级调整。 |
