阻变存储器的钨薄膜制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011033772.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112201748A | 公开（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申请公布号 | CN112201748A | 申请公布日 | 2021-01-08 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈亮;仇圣棻;杨芸;李晓波;杨瑞鹏;曹恒 | 申请（专利权）人 | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 地址 | 201315上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种阻变存储器的钨薄膜制备方法，包括：采用物理气相沉积在底电极上沉积钨薄膜；采用物理气相沉积在所述钨薄膜上沉积掺杂有N元素的WNx薄膜；通过CMP机台对所述WNx薄膜进行研磨，其中，当所述WNx薄膜被磨光时，所述CMP机台停止研磨。利用本发明，能够解决现有制备阻变存储器的钨薄膜过程中，不能同时满足钨薄膜厚度、钨薄膜表面粗糙度问题。 |
