阻变存储器的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011033774.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112201749A | 公开（公告）日 | 2021-01-08 |
| 申请公布号 | CN112201749A | 申请公布日 | 2021-01-08 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈亮;仇圣棻;杨芸;李晓波 | 申请（专利权）人 | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 地址 | 201315上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种阻变存储器的制备方法，包括：采用物理气相沉积在介质层上依次沉积底部电极、转换层、顶部电极以及刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层进行光刻光阻处理；根据所述光刻光阻处理形成的图像，依次对所述刻蚀阻挡层、所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极进行刻蚀；对刻蚀后的所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极的侧壁进行氧化制程。利用本发明，能够解决现有制备阻变存储器过程中，金属原子由于蚀刻作用而溅镀到转换层、顶部电极的侧壁上而导致阻变式存储器失效的问题。 |
