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一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路

基本信息

申请号	CN201810298681.2	申请日	-
公开（公告）号	CN108768362B	公开（公告）日	2021-11-23
申请公布号	CN108768362B	申请公布日	2021-11-23
分类号	H03K17/22（2006.01）I;H03K17/687（2006.01）I	分类	基本电子电路;
发明人	谢芳	申请（专利权）人	上海申矽凌微电子科技股份有限公司
代理机构	上海段和段律师事务所	代理人	郭国中
地址	201108上海市闵行区虹梅南路2588号1幢A320室
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种纯增强型MOS管无静态功耗的上电复位电路，包括依次连接的：电源检测锁存部分、反相延时部分以及与非门部分；电源检测锁存部分的PMOS管M105与NMOS管M106的栅极相互连接作为第一节点，漏极相互连接作为第二节点；PMOS管M101的漏极、PMOS管M104的漏极以及电容C107的一端分别连接第一节点，NMOS管M103的漏极通过分压器件连接第一节点，NMOS管M103的栅极连接与非门部分，PMOS管M101的栅极接地，PMOS管M104的栅极连接第二节点，第一节点还连接反相延时部分，第二节点连接反相延时部分。本发明电路简单有效，工艺层次简单，布版图的面积小，成本低，电路工作一致性好，实现了静态无功耗。