基于CMOS工艺的CMOS-MEMS全集成热电堆芯片及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111228772.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114031031A | 公开（公告）日 | 2022-02-11 |
| 申请公布号 | CN114031031A | 申请公布日 | 2022-02-11 |
| 分类号 | B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;G01J5/16（2006.01）I | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 於广军 | 申请（专利权）人 | 上海申矽凌微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海段和段律师事务所 | 代理人 | 李佳俊;郭国中 |
| 地址 | 201108上海市闵行区虹梅南路2588号1幢A320室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于CMOS工艺的CMOS‑MEMS全集成热电堆芯片及制造方法，包括衬底、微电机系统以及专用集成电路系统，微电机系统和集成电路系统二者在衬底上呈分隔设置，且衬底上设置有隔离层；专用集成电路系统包括MOS管，微电机系统包括由多组热电偶串联形成的热电堆和热沉区，微电机系统所在的衬底的背部开设有空腔，隔离层将热电偶和热沉区二者与空腔分隔；热电偶与专用集成电路系统电连接，热沉区接地或悬空，且热沉区的内壁构成冷端边界并延伸至空腔的上方，从而使热沉区的内壁为热电堆的冷端，使热电堆的冷端和热端距离固定，进而提高了产品的一致性。 |
